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然而，两大累计经典的溶液二步法制备的CsPbBr3膜中，通常会伴有CsPb2Br5和Cs4PbBr6的杂质相，这是未来CsPbBr3器件发展的主要效率限制因素。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)对吸附层进行表征，西电消纳采用密度泛函理论计算对吸附层进行建模。

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由于外层MoS2（002）晶面与相邻内层Cu2-xS（002）晶面高度匹配，千瓦因而外层MoS2层可以垂直生长在内层Cu2-xS表面。相关研究以DefectEngineeringinSemiconductors:ManipulatingNonstoichiometricDefectsandUnderstandingTheirImpactinOxynitridesforSolarEnergyConversion为题目，江苏发表在AFM上。

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